High speed Silicon Sensors – Centronic EO

Les photodétecteurs de la série 3T sont spécialement conçus pour la détection d’impulsions laser infrarouges à grande vitesse. La structure du détecteur conçue pour être entièrement épuisée à une polarisation inverse de 60 volts utilise du silicium à haute résistivité pour obtenir une très faible capacité. Les détecteurs offrent une réactivité élevée dans la plage 800-1 000 nm mais sont également adaptés aux applications à grande vitesse sur des longueurs d’onde plus longues où la réactivité absolue maximale n’est pas aussi importante que la vitesse de réponse.

Détection d’impulsions haute vitesse 1 064 nm (série 4X)

La série 4X de photodétecteurs est spécialement conçue pour détecter des impulsions laser Nd YAG à haute vitesse de 1 064 nm. La structure du détecteur est conçue pour être entièrement déchargée à une polarisation inverse de 150 volts et offre une réactivité élevée en impulsions et en courant continu à des longueurs d’onde allant jusqu’à 1 100 nm, couplée à une capacité par unité de surface extrêmement faible.

Détecteurs haute vitesse (BPX65)

La famille de détecteurs BPX65 est dotée de la puce Centronic de 1 mm2, haute vitesse et haute sensibilité, déjà efficace dans une grande variété d’applications. La puce peut être conditionnée sous diverses formes adaptées à la communication par fibre optique, comme l’AX65-RF (centrée précise, isolée, faible espacement entre la puce et la fenêtre), un TO18 standard à 2 ou 3 fils ou même encapsulé dans de l’époxy. Il a également été utilisé pour la conception d’encodeurs et avec la version MIL SPEC au cœur des systèmes d’avertissement laser avancés.

Détecteurs ultra haute vitesse (AEPX)

La série de photodiodes AEPX est proposée dans une gamme de petites tailles de zone active adaptées aux applications de fibre optique haute fréquence. Ces photodétecteurs profitent d’une structure épitaxiale pour obtenir une bonne réponse haute fréquence à des tensions de fonctionnement aussi basses que 5 volts. Les détecteurs peuvent également fonctionner à des niveaux de polarisation plus élevés jusqu’à 20 volts pour obtenir une réponse pulsée extrêmement rapide.

Caractéristiques des capteurs en silicium haute vitesse :

IR haute vitesse (série 3T)

• polarisation: 60V
• réponse : 400-1100 nm
• réactivité (900 nm) : 0,61 A/W
• technologie : pn entièrement épuisé

1064 nm pulsé (série 4X)

• polarisation: 150V
• réponse : 400-1100 nm
• réactivité (1064 nm) : 0,4 A/W
• technologie : broche entièrement épuisée

Haute vitesse (BPX65)

• polarisation: 20V
• réponse : 400-1064 nm
• réactivité (900 nm) : 0,55 A/W
• temps de montée : 3,5 ns
• technologie : jonction pn

Ultra haute vitesse (AEPX)

• polarisation: 5V
• réponse : 450-1064 nm
• réactivité (820 nm) 0,35 A/W
• temps de montée : 0,3 à 0,6 ns
• technologie: épitaxiale