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Infra-red Silicon Sensors – Centronic EO
Centronic a conçu les capteurs infrarouges au silicium, des photodétecteurs de la série 3T spécialement conçus pour la détection d’impulsions laser infrarouges à grande vitesse. La structure du détecteur est entièrement épuisée à une polarisation inverse de 60 volts et utilise du silicium à haute résistivité pour obtenir une très faible capacité.
Les détecteurs offrent une réactivité élevée dans la plage 800-1 000 nm mais sont également adaptés aux applications à grande vitesse sur des longueurs d’onde plus longues où la réactivité absolue maximale n’est pas aussi importante que la vitesse de réponse.
CARACTÉRISTIQUES
- Biais de 60V
- Réponse de 400 à 1.100 nm
- Réactivité (à 900 nm) de 0,61 A/W
- Technologie : pn complètement épuisé
Si vous souhaitez en savoir plus sur les capteurs infrarouges au silicium de Centronic, visitez leur site Web !
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Centronic is based in Croydon (near London) and has more than 30 years experience in developing and manufacturing sensor solutions for measuring or detection of photonic and ionising radiation. The co...
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