High speed Silicon Sensors – Centronic EO

Hoge snelheid uitgebreide IR-respons (serie 3T) De fotodetectoren uit de 3T-serie zijn speciaal ontworpen voor snelle infraroodlaserpulsdetectie. De detectorstructuur die is ontworpen om volledig leeg te zijn bij een omgekeerde voorspanning van 60 volt, maakt gebruik van silicium met hoge weerstand om een ​​zeer lage capaciteit te bereiken. De detectoren bieden een hoge responsiviteit in het bereik van 800-1000 nm, maar zijn evengoed geschikt voor toepassingen met hoge snelheid bij langere golflengten, waarbij maximale absolute responsiviteit niet zo belangrijk is als de responssnelheid. Hoge snelheid 1064 nm pulsdetectie (serie 4X) De 4X-serie fotodetectoren is speciaal ontworpen voor het detecteren van hogesnelheids 1064 nm Nd YAG-laserpulsen. De detectorstructuur is ontworpen om volledig leeg te zijn bij een sperspanning van 150 volt en biedt een hoge gepulseerde en DC-responsiviteit bij golflengten tot 1100 nm, gekoppeld aan een extreem lage capaciteit per oppervlakte-eenheid. Hogesnelheidsdetectoren (BPX65) De BPX65-detectorfamilie is voorzien van Centronic’s 1 mm² hoge snelheid en hoge gevoeligheidschip die al succesvol is in een breed scala aan toepassingen. De chip kan in verschillende vormen worden verpakt die geschikt zijn voor glasvezelcommunicatie, zoals de AX65-RF (precies gecentreerd, geïsoleerd, lage chip-tot-vensterafstand), een standaard 2 of 3-draads TO18 of zelfs ingekapseld met epoxy. Het is ook gebruikt voor encoderontwerpen en met MIL SPEC-release als kern van geavanceerde laserwaarschuwingssystemen. Ultrasnelle detectoren (AEPX) De AEPX-serie fotodiodes wordt aangeboden in een reeks kleine actieve gebiedsgroottes die geschikt zijn voor hoogfrequente glasvezeltoepassingen. Deze fotodetectoren profiteren van een epitaxiale structuur om een ​​goede hoogfrequente respons te bereiken bij bedrijfsspanningen zo laag als 5 volt. De detectoren kunnen ook worden gebruikt op hogere voorspanningsniveaus tot 20 volt om een ​​extreem snelle gepulseerde respons te bereiken.

Kenmerken van hogesnelheidssiliciumsensoren:

Hoge snelheid IR (serie 3T)

• voorspanning: 60V
• reactie: 400-1100 nm
• responsiviteit (900 nm): 0,61 A/W
• technologie: pn volledig uitgeput

1064 nm gepulseerd (serie 4X)

• voorspanning: 150V
• reactie: 400-1100 nm
• responsiviteit (1064 nm): 0,4 A/W
• technologie: pin volledig uitgeput

Hoge snelheid (BPX65)

• voorspanning: 20V
• reactie: 400-1064nm
• responsiviteit (900 nm): 0,55 A/W
• stijgtijd: 3,5 ns
• technologie: pn-junctie

Ultrahoge snelheid (AEPX)

• voorspanning: 5V
• respons: 450-1064nm
• responsiviteit (820 nm) 0,35 A/W
• stijgtijd: 0,3 tot 0,6 ns
• technologie: epitaxiaal