Infra-red Silicon Sensors – Centronic EO

Heeft u een vraag of wilt u dit product bestellen? Neem dan contact met ons op.

Centronic ontwierp de infraroodsiliciumsensoren, fotodetectoren uit de 3T-serie die speciaal zijn ontworpen voor snelle infraroodlaserpulsdetectie. De detectorstructuur is volledig uitgeput bij een omgekeerde voorspanning van 60 volt en maakt gebruik van silicium met een hoge weerstand om een ​​zeer lage capaciteit te bereiken.

De detectoren bieden een hoge responsiviteit in het bereik van 800-1000 nm, maar zijn evengoed geschikt voor toepassingen met hoge snelheid bij langere golflengten, waarbij maximale absolute responsiviteit niet zo belangrijk is als de responssnelheid.

FUNCTIES

  • Voorspanning van 60V
  • Reactie van 400 tot 1.100 nm
  • Responsiviteit (bij 900 nm) van 0,61 A/W
  • Technologie: pn volledig uitgeput

Als je meer wilt weten over de infrarood siliciumsensoren van Centronic, bezoek dan hun website!

Als je vragen hebt…

Centronic is gevestigd in Croydon (nabij Londen) en heeft meer dan dertig jaar ervaring in het ontwikkelen en fabriceren van halfgeleider en gas gevulde detectoren voor een breed toepassingsgebied in...

Downloads

Voor dit product is één download beschikbaar.

General detector datasheet

Vul uw e-mailadres in om toegang te krijgen tot alle downloads van PEO.